Смотрите также:



Использование cookie

Микросхема защиты портов ESD5425E


ESD5425E это микросхема защиты от статического электричества - ElectroStatic Discharge Protection (сокращенно ESD protection). Предназначена для защиты интерфейсных микросхем, контроллеров, процессоров от импульсов статического напряжения, попадающих на вход порта при подключении к разъему периферийных устройств.

Внутренняя схема микросхемы следующая:

IO1 IO2 IO3 IO4 GND 1 2 3 4 5 6 VCC

Cхема схема включения микросхемы ESD5425E применительно к контроллеру USB-портов следующая:

ESD PROTECTION VCC D+ D+ D- D- GND GND USB1 USB2 USB Контроллер 1 2 3 6 5 4

Назначение выводов:

SMD маркировка 5425ppyw 1 2 3 4 IO1 GND IO2 IO3 VCC 5 6 IO45425ppyw
  • GND (Ground) - земля, общий провод;
  • IO1 (Input - Output 1) - вход / выход №1 - подключается к линии передачи данных;
  • IO2 (Input - Output 2) - вход / выход №2 - подключается к линии передачи данных;
  • IO3 (Input - Output 3) - вход / выход №3 - подключается к линии передачи данных;
  • IO4 (Input - Output 4) - вход / выход №4 - подключается к линии передачи данных;
  • VCC - вход напряжения питания;

Маркировка: 5425 ppyw, где:

y - код года выпуска;
w - код недели выпуска;
p - номер партии;

Характеристики ESD5425E:

Номинальное рабочее напряжение 5 V;
Напряжение начала пробоя VBR min 7 V;
Напряжение пробоя VCL 9.5 V;
Емкость между IO и GND 3 pF;
Максимальный имп. ток через вывод IO Imax 25 A;
Максимальная импульсная мощность 350 Вт;



Микросхема представляет собой набор диодов Шоттки и стабилитрон. При подаче кратковременного импульса на один из выводов IO или VCC стабилитрон пробивается и импульс не проходит далее по цепям. В результате все микросхемы устройства должны остаться целыми.

Номинальное напряжение - напряжение, при котором стабилитрон закрыт и микросхема не оказывает влияния на сигналы, подключенные к ней.

VBR min (Breakdown Voltage) - напряжение, при котором стабилитрон начинает пробиваться и ток между выводом IO и GND становится равным одному миллиамперу.

VCL (Clamping Voltage) - напряжение, при котором стабилитрон полностью пробился и ток между выводом IO и GND становится равным нескольким амперам.

Максимальная импульсная мощность - мощность, которую может рассеять микросхема без повреждения при попадании на вывод импульса длительностью 20 микросекунд.

Максимальный импульсный ток - ток, который может выдержать микросхема без повреждения при попадании на вывод импульса длительностью 20 микросекунд.

Микросхемы ESD5425E могут применяться для защиты портов USB2, USB3 и DVI интерфейсов в компьютерах, ноутбуках, медиаприставках, мониторах и другой электронной технике.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на микросхему ESD5425E можно здесь.

Купить микросхему можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.