Транзисторная MOSFET-сборка ZXMN3A03E6TA
ZXMN3A03E6TA представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 3A3 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики ZXMN3A03E6TA:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 4.6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.05 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 10 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 2 нс;
Время перехода в закрытое состояние 16 нс;
Емкость затвор-исток 600 пф.