Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка DMN2100UDM


DMN2100UDM представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6. Для защиты от пробоя прибора статическим электричеством (ElectroStatic Discharge Protection) между затвором и истоком установлен специальный стабилитрон.

Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка 2N1ym 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D2N1 ym
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: 2N1 ym, где:

y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;

Характеристики DMN2100UDM:

Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.07 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 53 нс;
Время перехода в закрытое состояние 561 нс;
Емкость затвор-исток 555 пф.



Область применения DMN2100UDM - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на DMN2100UDM можно здесь.

Купить DMN2100UDM можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.