Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка ZXMN2A01E6


ZXMN2A01E6 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка 2A1ym 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D2A1 ym
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: 2A1 ym, где:

y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;

Характеристики ZXMN2A01E6:

Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 3.1 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.12 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 6 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 2 нс;
Время перехода в закрытое состояние 7 нс;
Емкость затвор-исток 303 пф.



Область применения ZXMN2A01E6 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на ZXMN2A01E6 можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.