Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка AP2003


AP2003 представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 2003 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 2003
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 2003 .

Характеристики AP2003:

N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.035 Ом;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 2 нс;
Время перехода в закрытое состояние 21 нс;
Емкость затвор-исток 260 пф.

P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.075 Ом;
Крутизна характеристики 9 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 11 нс;
Время перехода в закрытое состояние 22 нс;
Емкость затвор-исток 325 пф.



Область применения AP2003 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на AP2003 можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.