Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка HSW4602


HSW4602 представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 9Byw 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D19B yw
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 9B yw, где:

y - код года выпуска;
w - код недели выпуска;

Характеристики HSW4602:

N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 4.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.03 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 3 В;
Время перехода в открытое состояние 8 нс;
Время перехода в закрытое состояние 20 нс;
Емкость затвор-исток 402 пф.

P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -3.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.07 Ом;
Крутизна характеристики 10 S;
Напряжение открытия затвор-исток -3 В;
Время перехода в открытое состояние 4 нс;
Время перехода в закрытое состояние 22 нс;
Емкость затвор-исток 490 пф.



Область применения HSW4602 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на HSW4602 можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.