Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка FDC6305N


FDC6305N представляет собой сборку из двух N-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - ON Semiconductor.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 305w 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 305w
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 305 w, где:

w - код недели выпуска;

Характеристики FDC6305N:

Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 2.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.08 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 8 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 5 нс;
Время перехода в закрытое состояние 11 нс;
Емкость затвор-исток 310 пф.



Область применения FDC6305N - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC6305N можно здесь.

Купить FDC6305N можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.