Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка NCE6602N


NCE6602N представляет собой сборку из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 6602N 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 6602N
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 6602N .

Характеристики NCE6602N:

N-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 3.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.058 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток 2 В;
Время перехода в открытое состояние 4 нс;
Время перехода в закрытое состояние 18 нс;
Емкость затвор-исток 251 пф.

P-канальный транзистор:
Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -2.7 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.1 Ом;
Крутизна характеристики 2 S;
Напряжение открытия затвор-исток -2 В;
Время перехода в открытое состояние 8 нс;
Время перехода в закрытое состояние 12 нс;
Емкость затвор-исток 278 пф.



Область применения NCE6602N - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на NCE6602N можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.