Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка YJS03N10A


YJS03N10A представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка 1003 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D 1003
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: 1003 .

Характеристики YJS03N10A:

Максимальное напряжение сток-исток 100 В;
Максимальный ток сток-исток 3 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.12 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Напряжение открытия затвор-исток 3 В;
Время перехода в открытое состояние 15 нс;
Время перехода в закрытое состояние 30 нс;
Емкость затвор-исток 800 пф.



Область применения YJS03N10A - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на YJS03N10A можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.