Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка WNMD2176-6/TR


WNMD2176-6/TR представляет собой сборку из двух N-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6. Для защиты от пробоя прибора статическим электричеством (ElectroStatic Discharge Protection) между затвором и истоком установлен специальный стабилитрон.

Производитель микросхемы - Will Semiconductor Ltd.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 2176ppyw 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D12176ppyw
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 2176 ppyw, где:

y - код года выпуска;
w - код недели выпуска;
p - номер партии;

Характеристики WNMD2176-6/TR:

Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 2.6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±10 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.056 Ом;
Крутизна характеристики 11 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 12 нс;
Время перехода в закрытое состояние 29 нс;
Емкость затвор-исток 190 пф.



Область применения WNMD2176-6/TR - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на WNMD2176-6/TR можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.