Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка STT6N3LLH6


STT6N3LLH6 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - STMicroelectronics.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка STG1 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D STG1
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: STG1 .

Характеристики STT6N3LLH6:

Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 6 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.021 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 4 нс;
Время перехода в закрытое состояние 9 нс;
Емкость затвор-исток 283 пф.



Область применения STT6N3LLH6 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на STT6N3LLH6 можно здесь.

Купить STT6N3LLH6 можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.