Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка FDC645N


FDC645N представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - ON Semiconductor.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка 645 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D 645
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: 645 .

Характеристики FDC645N:

Максимальное напряжение сток-исток 30 В;
Максимальный ток сток-исток 5.5 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.03 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 33 S;
Напряжение открытия затвор-исток 2 В;
Время перехода в открытое состояние 8 нс;
Время перехода в закрытое состояние 35 нс;
Емкость затвор-исток 1460 пф.



Область применения FDC645N - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC645N можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.