Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка FDC658P


FDC658P представляет собой один P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - ON Semiconductor.

1 2 3 4 5 6 D D D D G S

Назначение выводов:

SMD маркировка 658 1 2 3 4 D D G S D 5 6 D 658
  • G (Gate) - затвор транзистора;
  • D (Drain) - исток транзистора;
  • S (Source) - сток транзистора;

Маркировка: 658 .

Характеристики FDC658P:

Максимальное напряжение сток-исток -30 В;
Максимальный ток сток-исток -4 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.041 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 9 S;
Напряжение открытия затвор-исток -3 В;
Время перехода в открытое состояние 12 нс;
Время перехода в закрытое состояние 24 нс;
Емкость затвор-исток 750 пф.



Область применения FDC658P - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC658P можно здесь.

Купить FDC658P можно здесь.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.