Смотрите также:



Использование cookie

Транзисторная MOSFET-сборка FDC6306P


FDC6306P представляет собой сборку из двух P-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SOT-23-6.

Производитель микросхемы - ON Semiconductor.

1 2 3 4 5 6 G1 S2 G2 D2 S1 D1

Назначение выводов:

SMD маркировка 306 1 2 3 4 G1 S2 G2 D2 S1 5 6 D1 306
  • G1 (Gate) - затвор первого транзистора;
  • D1 (Drain) - исток первого транзистора;
  • S1 (Source) - сток первого транзистора;
  • G2 (Gate) - затвор второго транзистора;
  • D2 (Drain) - исток второго транзистора;
  • S2 (Source) - сток второго транзистора;

Маркировка: 306 .

Характеристики FDC6306P:

Максимальное напряжение сток-исток -20 В;
Максимальный ток сток-исток -1.9 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±8 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.182 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 4 S;
Напряжение открытия затвор-исток -1 В;
Время перехода в открытое состояние 6 нс;
Время перехода в закрытое состояние 14 нс;
Емкость затвор-исток 441 пф.



Область применения FDC6306P - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.

Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на FDC6306P можно здесь.

Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.


Понравилась статья - поделитесь с друзьями:


Комментарии:

Добавить комментарий:

Ник:     



Текст комментария:

      

      

* Ваш комментарий будет опубликован после одобрения модератором.